機械振興賞　受賞者 業績概要詳細

半導体線幅の微細化や回路の三次元化が進み、従来では問題にならなかった微小なウエハー欠陥が半導体製品の不良の原因となる。そのため、現在では20nm以下の検査性能が求められている。ウエハーの欠陥測定にレーザーを使用する際、レーザーの波長が短いほど分解能は高くなるが、測定によるウエハーダメージが出易くなってしまう。本業績では、有機膜に対して、光のエネルギーによる結合の分解を起こさず、ダメージを与えにくい波長355nmを用いるとともに、欠陥からの散乱光を選択的に検出して高感度化する多方向偏光選択技術を開発した。また、欠陥から生じる散乱光分布の特徴をデータベースと照合して高精度に欠陥を分類する、欠陥自動分類技術を開発した。