機械振興賞　受賞者 業績概要詳細

年々、半導体の集積度が高くなり、半導体の発熱が問題となっている。半導体の絶縁膜に使用するアルミナは、絶縁性が高く絶縁膜としての性能が高い反面、熱伝導性が低く放熱が問題となっている。これはアルミナの成膜の際、吹き付ける粉体の大きさにばらつきがあり、ち密な成膜ができないことに起因している。本業績では、成膜させる基板の前に斜めに傾いたターゲットを置き、アルミナ粉体を間接的に基盤に到達させて、粒のそろった小さな粒子だけで、ち密で均一な成膜を実現した。これにより、絶縁性を保ちつつ膜厚を薄くでき、放熱性を確保した。